SJ 50033.140-1999 半导体分立器件3DA502型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
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ID： |
CE1A137045C54B158CB184A20B5B403D |
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文件大小(MB)： |
0.52 |
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页数： |
11 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/140-99,半导体分立哭件,3DA502型硅微波脉冲功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DA502,silicon microwave pulse power transistor,1999-02-02 批准1999-07-01 实施,中华人民共和国信息产业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DA502型硅微波脉冲功率晶体管,详细规范,SJ 50033/140-99,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DA502,silicon microwave pulse power transistor,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 3DA502型硅微波脉冲功率晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33A-97《半导体分立器件总规范》1.3的规定,提供的质量保证等级为普军级、特,军级和超特军级三级。分别用字母JP、JT和JCT表示,2引用文件,GB 4587-94 双极型晶体管测试方法,GJB 33A-97 半导体分立器件总规范,GJB 128A-97半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33A和本规范的规定,3.2 设计和结构,器件的设计和结构应按GJB 33A和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和镀涂层,发射极和集电极引出端材料为可伐合金带,基极引出端为铛铜,引出端表面镀金,3.2.2 器件结构,中华人民共和国信息产业部1999-02-02发布1999-07-0I 实施,—1 —,SJ 50033/140-99,本器件是采用硅外延平面结构的NPN型晶体管,并具有阻抗匹配网络,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸见图1,mm,尺寸,代号,min nom max,A — 一6.0,b* 3.58 — 3.78,by 3.58 — 3.78,C 0.09 一0.15,e 10.3 — 13,G 9.75 一10.25,L 2.0 一4.0,F 1.37 — 1.67,D — 3.2 —,R — 1.6 —,Q 2.9 一3.2,q 16.2 — 16.8,U1 22.7 一23.3,E-----发射极,B-----基板,C-----集电极,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.I 最大额定值,、、极限值,型号、、,■*P tot1),員二25匕,W,VcBO,V,Vebo,V,1,A,过激励,dB,vswr2）,输出端,方,t,T貳g,3DA502A-C 51 65 4 8 1 3：1 200 - 65.200,注:1）般＞25匕时按0.29W/K线性降额,2）全相位抗失配在540MHz和610MHz两点拉驻波（Po）120W）,3.3.2 主要电特性（7\ = 25じ）,—2 —,SJ 50033/140-99,、\限,型号、,入feJ） Vdt,V,/CBO,mA,Gp,dB,ワ,(%),顶降,(dB),c),K/W,VSWR,输入端,VCe = 5V,1c = 2A,1c = 2A,300,mA,337 V Vcc = 37 V ノ。： 540 ~ 610MHz,号二 20W(A,B,;尸i=18W(C),zw = 500pis$D = 15%,1c = 2A,セ叫,最小最大最大最大最小最大最小最大最大最大,3DA502A,10 90 0.6 1,6.0 7.0,3DA502B 7.0 8.0 50 0.5 3.4 2：1,3DA502C 8.0 9.0,注:1）直流法测试,2）允许带内波动L5dB,3.4 测试要求,电测试应符合GJB 33A及本规范的规定,3.5 ,标志,器件上应有如下标志;,a）器件型号;,b）质量保证等级;,c）承制方标志;,d）极性标志,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验按GJB 33A和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验按GJB 33A和本规范的规定,4.3 筛选（仅对JT和JCT级）,筛选应按GJB 33A表2和本规范的规定进行。其测试应按本规范表1的规定进行,超过,本规范表1极限值的器件应剔除,筛选要求,筛 选,见 GJB 33A 表 2,试验方法,GJB 128A 方法,条 件,JT和JCT级,2高温寿命1032 任选,3温度循环1051 试验条件F,20次,4恒定加速度2006 9800m/s2,Y1 方向,10高温反偏1039 TA=150V, VCE = 37V,z=48h,11中间测试&FEI，IcBOl,3,SJ 50033/140-99,筛选要求,筛 选试验方法条 件,见 GJB 33A 表 2 GJB 128A 方法JT和JCT级,12功率老炼1039 厶=187.5 ± 12.5 匕 Vce=12V,PG20W,160h,13最后测试Alcao为初始值的100%或0.5mA取较大,者,Aん初始值20%,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33A和本规范的规定进行,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33A和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33A和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组……
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